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FET、MOSFET 阵列
FF2MR12KM1PHOSA1详细参数信息参考图片

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FF2MR12KM1PHOSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 500A(Tc) 底座安装 AG-62MM
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参数信息
常见问题
参数参数值
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC?
包装
托盘
FET 类型
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.13 毫欧 @ 500A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.15V @ 224mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
1340nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
39700pF @ 800V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
AG-62MM

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