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FET、MOSFET 阵列
BSD840NH6327XTSA1详细参数信息参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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BSD840NH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 880mA 500mW 表面贴装型 PG-SOT363-PO
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参数信息
常见问题
参数参数值
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS?
包装
卷带(TR)
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
880mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
400 毫欧 @ 880mA,2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
750mV @ 1.6μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.26nC @ 2.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
78pF @ 10V
功率 - 最大值
500mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
PG-SOT363-PO

Q : 平台上的商品都是正品吗?

A : 请您放心,商城所售卖的商品均为原装正品,我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商,从源头保证品质。

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商品其它信息
优势渠道现货,国内现货当天可发货,国外现货7-10天可发货。
库存:148932
数量单价合计
1+
¥3.66
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10+
¥2.618
¥26.18
100+
¥1.3195
¥131.95
500+
¥1.16908
¥584.54
1000+
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¥909.81
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库存:148932起订量:1
最小包装:1递增量:1
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