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产品分类

单 FET,MOSFET
IPD046N08N5ATMA1详细参数信息参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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IPD046N08N5ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 表面贴装型 N 通道 80 V 90A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
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参数信息
常见问题
参数参数值
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS?
包装
卷带(TR)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.6 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 65μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
53 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3800 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

Q : 平台上的商品都是正品吗?

A : 请您放心,商城所售卖的商品均为原装正品,我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商,从源头保证品质。

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商品其它信息
优势渠道现货,国内现货当天可发货,国外现货7-10天可发货。
库存:2500
数量单价合计
1+
¥20.41
¥20.41
10+
¥16.918
¥169.18
100+
¥13.463
¥1346.3
500+
¥11.39154
¥5695.77
1000+
¥9.66549
¥9665.49
-+
合计:¥20.4
库存:2500起订量:1
最小包装:1递增量:1
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  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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