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双极晶体管阵列,预偏置
NSVMUN5111DW1T3G详细参数信息参考图片

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NSVMUN5111DW1T3G

  • onsemi
  • 新批次
  • 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
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数据手册
参数信息
常见问题
参数参数值
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
晶体管类型
2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基极 (R1)
10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)
10 千欧
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
35 @ 5mA,10V
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)
250mV @ 300μA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
250mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363

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商品其它信息
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